##plugins.themes.academic_pro.article.main##
Abstract
The paper presents the results of a study of the distribution profiles of implanted nickel atoms in silicon as a function of the radiation dose and the annealing temperature using the Rutherford backscattering spectrometry technique (RBS). The effects of thermal annealing on the distribution of nickel and in particular oxygen are studied. It has been proven that under certain conditions of heat treatment and radiation doses, the so-called epitaxial silicides are formed on the surface of a single crystal, which can play the role of conductive layers or metallic coatings. The possibility of using the RBS technique for analyzing both the concentration distribution of doping impurities and the interaction of impurities is argued.
Keywords
##plugins.themes.academic_pro.article.details##
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
References
- Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. – М.: Мир, 1986, С.176.
- Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов IV периода. – М.:
- Металлургия, 1971, С.584.
- Лифшиц В.Г. Электронная структура и силицид образование в тонких плёнках
- переходных металлов на кремнии – Препринт, 1984, С.260.
- Х.Риссел, И.Руге. “Ионная имплантация”. М.Наука. 1965, с.360
- Суздалев И.П. “ Нанотехнология . Физико-химия нанокластеров, наноструктур и
- наноматериалов” . М. :Комкнига, 2006, 592с.
- Зайнабидинов С.З , Мусаев К.Н. , Тургунов Н.А. , Тураев А.Р. “ Механизмы образование
- микроскоплений применных атомов в Si [ Mn] и Si [Ni]”. Неорганические материалы,2012,
- т.48, N11,с. 1195-1199.
- Асташенков А.С, Бринкевич Д.И , Петров В.В , “ Свойства кремния, легированного
- примесью никеля методам диффузии” . Доклады БГУИР , 2018, N8(38). с. 37-43.
- Bakhadurkhanov M.K . Iliyev KH.M , Ayirov K.S. , Abdurakhamonov B.A, “Self –Organization it
- Nickel atoms in Silicon” . Inarganic materials , 2011, vol.47, N 9 , pp. 962-964.
- Эгамбердиев Б.Э. «Электронно- спектроскопические исследования физических
- свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно- имплантированных слоев в кремнии ».
- Докторская диссертация – М, 2003, С 243.
- Эгамбердиев Б.Э., Бахадырханов М.К. «Профили распределения по глубине
- имплантированных атомов переходной группы Ni в Si., В сб. I все российская
- конф. по материаловедению и физ. хим. основам техн. получения лег. кристаллов
- кремния, г. Москва, 1996 г стр. 134-135.
- Egamberdiyev B.E.,Rakhmanojv A.T. «Preparation of Mn2Si3 and NiSi2 silicides on
- silicon substrates using secondary ion mass spectrometry method formation and
- mechanism study »International journal of Alvanced Research in Science Engineering
- and Technology, 2018, vol. 5, Issue1, p. 5038-5043
- Б.Э Эгамбердиев, М. Абдугаббаров. “Изучение некоторых особенностей профилей
- распределения имплантированных атомов Мn, Fe и Ni в Si”. Вестник ТГТУ, 1994
- г., №1-2, с. 39-44.
- Эгамбердиев Б.Э , Мамадалимов А.Т, Ковешников С.В. «Физика и диагностика
- поверхности» Ташкент, 2013, С 460.
- Эг амбердиев Б.Э., Насриддинов С.С. Исследование термодатчиков на основе Si
при
- экстремальных условиях.// Химическая технология. Контроля и управления 2010г., № 1-2, стр.
- -104